A Tsinghua Unigroup égisze alatt ténykedő, kínai illetőségű UNIS fellebbentette a fátylat az S5 típusjelű M.2-es SSD-ről, ami bár DRAM cache helyett HMB technológiát használ (tehát rendszermemóriánkból választ le magának egy szeletet a gyorsítótárazáshoz), de a papírforma szerint 14,9/12,9 GB/s-os sebességet tud hozni szekvenciális olvasásban/írásban.

[+]

A x4-es PCI Express 5.0 interfésszel dolgozó, 22 x 80 mm-es tároló 1, valamint 2 TB-os változatokban készül, és fedélzetén 3D TLC NAND flash lapkák teljesítenek szolgálatot, noha 12 nanométeres node-on gyártott kontrollerének mibenléte egyelőre nem ismert (a Phison PS5031-E31T esélyes). A chipjein 1 mm vastag grafénlapot hordó, egyoldalas megoldás véletlenszerű lemezműveletekben legfeljebb 1 800 000/1 700 000 IOPS-os iramot képes diktálni, és tárhelymérettől függően 600 vagy 1200 TBW tartósságra lett hitelesítve.

[+]

Az 5 éves garanciával megtámogatott terméknek akad egy S5 Ultra névre hallgató, dedikált DRAM-mal szerelt rokona, amely 6 nanométeres gyártástechnologiával létrehozott vezérlővel rendelkezik (talán egy Silicon Motion SM2508-as vagy Phison PS5028-E28-as egységről van szó), és lineáris olvasás/írás tekintetében 14 200/13 400 MB/s-ot ígérhet. A kis adatblokkok mozgatásakor 1 700 000/1 600 000 IOPS-os tempóval kecsegtető meghajtó 2, továbbá 4 TB-os kivitelekben közeleg, és márkatársához hasonlóan hamarosan elérhető lesz a nagyobb e-kereskedelmi platformokon.